高光效氮化镓LED芯片制备及光电性质研究

摘要

本论文利用MOCVD法在图案化蓝宝石衬底上外延生长了氮化镓基LED芯片,并对芯片外延结构、光电性质进行了系统地表征研究.结果表明,本文制备的芯片具有较好的电学特性及较高的发光效率,并已实现量产,封装后白光效率达到190lm/W.本论文为后续进一步提高产业化LED芯片发光效率奠定了一定的基础.