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公开/公告号CN109980015A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-05
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201910255123.2
发明设计人 谢倩;夏霜;李杰;王政;
申请日2019-04-01
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人陈一鑫
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2024-02-19 12:36:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20190401
实质审查的生效
2019-07-05
公开
机译: 具有直接隧穿的隧穿场效应晶体管,可增强隧穿电流
机译: 隧穿场效应晶体管的态寄生泄漏减小
机译:具有陡峭的亚阈值斜率和高开关态电流比的硅掺杂氧化ha铁电PN–PN–PN SOI隧穿场效应晶体管
机译:具有增强的亚阈值摆幅和隧穿电流的InN / InGaN互补异质结增强隧穿场效应晶体管
机译:陷阱辅助隧穿对双栅隧道场效应晶体管中陷阱辅助隧穿电流的影响
机译:使用Verilog - 一种语言的肖特基屏障碳纳米管场效应晶体管隧穿电流的分析模型
机译:III-V Esaki二极管和2D隧穿场效应晶体管的量子模拟研究
机译:三维运动中量子耦合的能量弛豫对石墨烯场效应晶体管隧穿电流的影响
机译:大电流调制和隧穿磁阻由a变化 基于Gamnas的垂直自旋中的侧栅电场 金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有耗散的隧穿态的有效质量近似