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一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管

摘要

本发明提出了一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管,属于半导体器件领域。本发明具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管包括半导体衬底1、源区2、本征区3、漏区4、栅氧层5、金属栅6、侧墙9,还包括位于本征区内的介质块10,所述介质块10设置在本征区与源区的交界面上,所述介质块可改变隧穿结位置的电场分布,使隧穿结处电场线更集中,从而提升开态电流。

著录项

  • 公开/公告号CN104576721B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201410811663.1

  • 申请日2014-12-23

  • 分类号

  • 代理机构电子科技大学专利中心;

  • 代理人李明光

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:06:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-12

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20141223

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

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