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公开/公告号CN104576721B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201410811663.1
发明设计人 王向展;刘葳;张易;孙占杰;曹建强;于奇;
申请日2014-12-23
分类号
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人李明光
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 10:06:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-12
授权
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20141223
实质审查的生效
2015-04-29
公开
机译: 具有直接隧穿的隧穿场效应晶体管,可增强隧穿电流
机译: 具有高驱动电流的硅隧穿场效应晶体管(TFET)的制造方法
机译:具有陡峭的亚阈值斜率和高开关态电流比的硅掺杂氧化ha铁电PN–PN–PN SOI隧穿场效应晶体管
机译:具有增强的亚阈值摆幅和隧穿电流的InN / InGaN互补异质结增强隧穿场效应晶体管
机译:硅纳米结构中的电场集中及其对隧穿电流的影响
机译:使用Verilog - 一种语言的肖特基屏障碳纳米管场效应晶体管隧穿电流的分析模型
机译:超薄氧化物CMOS技术中的模拟集成电路设计,具有显着的直接隧穿感应栅极电流。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:大电流调制和隧穿磁阻由a变化 基于Gamnas的垂直自旋中的侧栅电场 金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:静电场中激发态钠的隧穿速率。