法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0304 申请日:20190425
实质审查的生效
2019-07-23
公开
公开
机译: p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译: 不包含AlGaN电子阻挡层的氮化镓基发光二极管为p型GaN,且薄
机译: 具有P或N型半导体层的Pin结光伏元件,该P或N型半导体层包括含量为1-4原子%的Zn,Se,Te,H的非单晶材料,以及包含非单晶Si的掺杂和I型半导体层(H,F)材料