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电致光透过率变化结构及其制作方法

摘要

本申请提供一种电致光透过率变化结构及其制作方法,其包括胆甾相液晶和孔洞结构,孔洞结构包括聚合体网络。本申请通过孔洞结构的聚合体网络的设置,当电致光透过率变化结构不加电时,越靠近聚合体网络的胆甾相液晶的倾斜角度越接近预设角度;当电致光透过率变化结构加电时,靠近聚合体的胆甾相液晶将倾倒方向传递至较远的胆甾相液晶,达到降低驱动电压,节省能耗的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN110082947A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201910276905.4

  • 发明设计人 崔巍;

    申请日2019-04-08

  • 分类号G02F1/1334(20060101);G02F1/137(20060101);G02F1/133(20060101);

  • 代理机构44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人黄威

  • 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

  • 入库时间 2024-02-19 12:18:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/1334 申请日:20190408

    实质审查的生效

  • 2019-08-02

    公开

    公开

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