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蓝宝石斜切衬底优化氧化镓薄膜生长及日盲紫外探测器性能的方法

摘要

本发明提供了一种蓝宝石衬底表面斜切氧化镓探测器及其制造方法,以及氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极,其中氧化镓薄膜为β‑Ga2O3薄膜,衬底为Al2O3衬底。通过对Al2O3衬底进行不同角度斜切处理,能够增强光电探测器的性能。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一,适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单,且所用材料容易获得。

著录项

  • 公开/公告号CN110061089A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京镓族科技有限公司;

    申请/专利号CN201910204193.5

  • 发明设计人 夏恒;谷雪;

    申请日2019-03-18

  • 分类号H01L31/101(20060101);H01L31/0392(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11691 北京清诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人乔东峰;樊锦标

  • 地址 101300 北京市顺义区仁和镇顺强路一号一幢2号厂房2层西侧北部

  • 入库时间 2024-02-19 12:18:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/101 申请日:20190318

    实质审查的生效

  • 2019-07-26

    公开

    公开

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