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公开/公告号CN110008611A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-12
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN201910295167.8
发明设计人 曾然;仲佼佼;张猛;陈芳芳;胡淼;李浩珍;毕美华;李齐良;
申请日2019-04-12
分类号
代理机构杭州千克知识产权代理有限公司;
代理人周希良
地址 310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号
入库时间 2024-02-19 12:04:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20190412
实质审查的生效
2019-07-12
公开
机译: 具有磁掺杂拓扑绝缘体量子阱膜的拓扑绝缘体结构
机译: 校准多层半导体结构中至少两层δ掺杂包含的掺杂水平并在半导体结构中以及多层和多量子阱中生成半导体多层结构的方法
机译: 多点拓扑逆变器中绝缘电阻的测量方法及多点拓扑逆变器中绝缘电阻的测量
机译:在弱拓扑绝缘体和拓扑晶体绝缘体多层中合成Weyl半金属
机译:在弱拓扑绝缘子和拓扑结晶绝缘子多层中合成Weyl Semimetals
机译:耦合到铁磁绝缘体结构的普通金属/绝缘体/拓扑绝缘体中的自旋输运
机译:拓扑绝缘体新阶段的超导,磁阻,磁异常和晶体结构Bi_2se_3和Sb_2te_3
机译:拓扑绝缘子和拓扑超导体的外来表面状态-3d拓扑绝缘子表面中的准粒子散射和马约拉那费米子的实现。
机译:ZrTe5和HfTe5中强拓扑绝缘体和弱拓扑绝缘体之间的过渡
机译:在弱拓扑绝缘体中合成Weyl半金属 拓扑结晶绝缘体多层膜
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