法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-20
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F21/60 申请日:20190401
实质审查的生效
2019-07-26
公开
公开
机译: 双极互补MOS电路的制造方法,涉及用于互补MOS晶体管的注入结构,其中结构的注入包括通过在集电极中注入来增加掺杂剂浓度。
机译: 通过将双路差分输出比较器与互补信号通过双边分频器组合在一起,实现用于移植的低功率异步PSK解调电路,用于移植设备的数字通信
机译: 以及参考电压生成系统的方法,该方法基于为两个互补电路编程的双位参考单元的电压平均值