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公开/公告号CN110021526A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201811416581.1
发明设计人 李相炫;李全一;康诚右;申洪湜;吴怜默;李升玟;
申请日2018-11-26
分类号H01L21/311(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人赵南;张青
地址 韩国京畿道
入库时间 2024-02-19 11:50:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-16
公开
机译: 具有高刻蚀选择性的刻蚀组合物,其制备方法,选择性刻蚀氧化物膜的方法以及使用相同方法制造半导体器件的方法
机译: 在半导体器件的生产过程中通过各向异性刻蚀来制造适当的刻蚀深度的方法以及应用该方法制造的半导体器件
机译: 利用聚合物生成刻蚀和各向异性刻蚀制造半导体器件的方法,以防止光程边际的减少和产生的AT
机译:水平集方法在制造纳米级器件的刻蚀轮廓演变的三维模拟中的应用
机译:通过等离子干法刻蚀和湿法化学刻蚀相结合的方法制造具有非常光滑和垂直侧壁的GaN基脊形波导
机译:沉积温度和热退火对半导体器件干法刻蚀工艺中a-C:H膜干法刻蚀速率的影响
机译:利用双层刻蚀掩模调制深蚀石英表面形状的干法刻蚀方法
机译:用于嵌入式纳米磁器件制造的氮化硅薄膜的纳米级反应离子刻蚀
机译:两次电化学刻蚀方法来制造仿生雾收成的超疏水-超亲水模式
机译:硅/锗和锗的选择性刻蚀:活性刻蚀物种过氧乙酸的选择性分析方法及其对动力学和原位形成平衡的影响
机译:化合物半导体器件等离子体刻蚀诱发损伤的研究。