具有对深源极/漏极半导体的后侧互连的集成电路设备

摘要

晶体管单元架构包括前侧和后侧结构两者。晶体管可以包括：一个或多个半导体鳍部，其具有沿着鳍部的沟道部分的侧壁设置的栅极堆叠。蚀刻该鳍部的一个或多个源极/漏极区域，以形成具有在沟道区域以下的深度的凹槽。该凹槽可以贯穿整个鳍部高度。然后将源极/漏极半导体沉积在凹槽内，从而将沟道区域耦合到深源极/漏极。处理晶体管的后侧以显露深源极/漏极半导体材料。一个或多个后侧互连金属喷镀层级可以耦合到晶体管的深源极/漏极。