半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构、应用及工艺

摘要

本发明提供一种半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构，包括一半导体硅片衬底，所述半导体硅片衬底的表面由下至上依次设置有第一层SiO2钝化层、第二层PSG钝化层、第三层SiO2钝化层、第四层Si3N4钝化层和第五层PI钝化层，半导体硅片衬底完成半导体芯片加工后，在该半导体芯片的表面需要钝化保护的区域形成SiO2‑PSG‑SiO2‑Si3N4‑PI复合结构。本发明还提供一种半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构的应用和一种半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构的制备工艺，可获得完美的多层介质复合钝化保护效果，应用本结构的半导体芯片产品稳定性和可靠性达到进口产品质量水平，可满足高端电子产品的市场需求。