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接合界面处的接合对准标记

摘要

公开了接合半导体结构及其制作方法的实施例。在示例中,一种半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及处于第一半导体结构和第二半导体结构之间的接合界面。所述第一半导体结构包括衬底、设置在所述衬底上的第一器件层以及设置在所述第一器件层上方并且包括第一接合触点和第一接合对准标记的第一接合层。所述第二半导体结构包括第二器件层以及设置在所述第二器件层下方并且包括第二接合触点和第二接合对准标记的第二接合层。使所述第一接合对准标记与所述第二接合对准标记在所述接合界面处对准,以使得所述第一接合触点与所述第二接合触点在接合界面处对准。

著录项

  • 公开/公告号CN109643700A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201880002644.0

  • 发明设计人 严孟;王家文;胡思平;胡顺;

    申请日2018-11-21

  • 分类号H01L23/544(20060101);H01L21/68(20060101);

  • 代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;

  • 代理人钟胜光

  • 地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2024-02-19 11:23:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-10

    授权

    授权

  • 2019-05-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/544 申请日:20181121

    实质审查的生效

  • 2019-04-16

    公开

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