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具有各向异性介电常数的半导体结构的基于模型的光学测量

摘要

本文中呈现用于采用包括所测量结构的一或多个材料的光学色散性质的各向异性特性化来执行小尺寸半导体结构的基于光学模型的测量的方法及系统。这减小几何参数当中的相关性,且导致多个所测量材料当中的经改进测量灵敏度、经改进测量精度及经提高测量对比度。在进一步方面中,描述包括所述结构的所述材料的介电常数的多维张量的元素与另一元素不同地模型化。在进一步方面中,基于从两个或两个以上测量子系统收集的测量数据、结合所述所测量材料的光学色散的各向异性特性化来执行基于模型的测量。在另一方面中,包括所述所测量结构的一或多个材料的所述光学色散的所述特性化取决于所述结构的几何形状。

著录项

  • 公开/公告号CN109643672A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 科磊股份有限公司;

    申请/专利号CN201780052569.4

  • 申请日2017-08-16

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘丽楠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 11:18:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20170816

    实质审查的生效

  • 2019-04-16

    公开

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