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一种在炭黑上直接生长石墨烯的方法

摘要

一种在炭黑上直接生长石墨烯的方法,是以成品炭黑为原料,以高温熔体为溶剂和载体,以有机碳源为石墨烯的前驱体;将炭黑输送至盛装有高温熔体的平底容器底部堆积并铺展;炭黑表观密度低而在熔体中上浮,有机碳源被同时添加入有高温熔体;有机碳源借助熔体的高温裂解成原子碳,原子碳溶解于高温熔体溶剂中,持续加入的有机碳源使得原子碳在高温熔体中达到过饱和条件;炭黑结构中的石墨微晶有利于石墨烯生长,石墨烯过饱和析出在上浮的炭黑上实现直接生长。本发明所制备的石墨烯改性炭黑性能质量优良,成本低、效率高、污染少。

著录项

  • 公开/公告号CN110003689A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 孙旭阳;

    申请/专利号CN201910273435.6

  • 发明设计人 孙旭阳;

    申请日2019-04-05

  • 分类号

  • 代理机构杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人王嘉华

  • 地址 314001 浙江省嘉兴市凌公塘路翰林府第21幢405室

  • 入库时间 2024-02-19 11:18:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09C1/56 申请日:20190405

    实质审查的生效

  • 2019-07-12

    公开

    公开

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