法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/66 申请日:20181212
实质审查的生效
2019-06-07
公开
公开
机译: 制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译: 用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
机译: 制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体