法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-07
专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B29/36 登记生效日:20191219 变更前: 变更后: 申请日:20190218
专利申请权、专利权的转移
2019-07-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20190218
实质审查的生效
2019-06-21
公开
公开
机译: 制备碳化硅体积单晶,包括在生长坩埚的晶体生长区域中制备碳化硅生长气相,以及通过从碳化硅生长气相沉积而生长单晶。
机译: 可用于生产半导体器件的碳化硅体积单晶的生产包括例如在坩埚的晶体生长区域中产生碳化硅生长气相,并生长碳化硅体积单晶
机译: 制备碳化硅体积单晶,包括在培养坩埚的晶体生长区域中生成碳化硅生长气相,以及通过沉积从气相中生长碳化硅体积单晶。