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一种碳化硅电阻法生长晶体的温场模拟系统

摘要

一种碳化硅电阻法生长晶体的温场模拟系统,包括保温罩、加热板、测温热电偶和通孔,保温罩是俯视截面为圆形的中空圆柱体,其侧壁表面均匀分布有分别处于四个穿过保温罩中轴线的四个平面内的四列通孔,保温罩内侧安置有俯视对称的偶数个矩形加热板,每一个通孔均有一个圆柱形截面的热电偶的紧密配合式插入,或者由瓷制柱塞塞入以封闭。该系统能精密地获得内部各具体位置的温度,对于模拟晶体生长过程中温度是否足够有很好的模拟作用,能通过模拟中的测定分析温场的均衡与否。

著录项

  • 公开/公告号CN109913949A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国宏中晶集团有限公司;

    申请/专利号CN201910123611.8

  • 申请日2019-02-18

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼801

  • 入库时间 2024-02-19 10:51:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-07

    专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B29/36 登记生效日:20191219 变更前: 变更后: 申请日:20190218

    专利申请权、专利权的转移

  • 2019-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20190218

    实质审查的生效

  • 2019-06-21

    公开

    公开

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