一种降低沟槽碳化硅MOSFET界面态的方法

摘要

本发明公开一种降低沟槽碳化硅MOSFET界面态的方法，其特征在于，包括如下步骤：在第一导电类型的衬底上形成第一导电类型的外延层；在外延层上进行离子注入形成第一导电类型的阱区、第一导电类型和第二导电类型的源区；在欲形成栅极的区域形成沟槽以形成中间元件；将中间元件在强酸溶液中浸泡。