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公开/公告号CN109830479A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201811405041.3
发明设计人 任廷爀;金完敦;李钟汉;丁炯硕;玄尚镇;
申请日2018-11-23
分类号H01L27/092(20060101);H01L29/49(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人张波
地址 韩国京畿道
入库时间 2024-02-19 10:37:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-31
公开
机译: 具有具有不同功函数层的晶体管的半导体器件
机译: 制造包括各自具有不同有效功函数的晶体管的半导体器件的方法
机译:使用低功函数金属界面控制层的有机半导体晶体管的器件特性
机译:[特邀演讲]使用低功函数金属界面控制层的有机半导体晶体管的器件特性
机译:使用具有不同功函数的金属电极控制单壁碳纳米管网络晶体管的特性
机译:具有可调功函数的双层金属栅电极:行为,机理和器件特性。
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