基于半导体纳米晶体的晶体管型神经突触器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于半导体纳米晶体的晶体管型神经突触器件及制备方法，该神经突触器件包括栅电极、介电层、源电极、漏电极、半导体纳米晶体沟道薄膜。本发明的神经突触器件利用半导体纳米晶体优异的光电特性，可以接受光刺激与电刺激，模拟出生物神经突触的一系列功能；此外利用平面晶体管结构，在兼容传统硅基半导体工艺的同时，实现了超低的能量消耗。本发明的神经突触器件具有工艺简单，功耗低，易于集成的特点。