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公开/公告号CN109686520A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-26
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;西安西电避雷器有限责任公司;
申请/专利号CN201811434753.8
发明设计人 何金良;孟鹏飞;胡军;谢清云;蒙小记;胡小定;李刚;
申请日2018-11-28
分类号H01C17/06(20060101);H01C17/30(20060101);
代理机构12217 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人薛阳
地址 100084 北京市海淀区清华园一号
入库时间 2024-02-19 09:35:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-26
公开
机译: 具有高通流量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层的制备方法
机译: 制备P型ZnO基复合半导体层的方法,制备ZnO基复合半导体元件的方法,P型ZnO基复合半导体,单晶层,ZnO基复合半导体粉体,ZnO
机译: ZNO压敏电阻块的高阻喷涂涂料组合物
机译:ZnO基压敏电阻的磷酸锌钝化层的制备与表征
机译:高击穿场的ZnO基压敏电阻的制备,表征和介电响应
机译:火花等离子体烧结制备高场ZnO压敏电阻
机译:电泳沉积制备的SnO_2.ZnO.Nb_2O_5-薄膜压敏电阻中Cr〜(3+)扩散对晶界电性能的影响
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:含和不含ZnO高阻透明缓冲层的CdTe电池的掺杂特性和能带排列数据
机译:加工条件对根据可用的纳米晶体ZnOE电子补充信息制备的压敏电阻的影响:1)与Sb,Bi和Co涂覆前后的纳米ZnO样品的HRTEM相关的EDX; 2)添加所有掺杂剂后,在300°C下煅烧的压敏电阻粉末的HRTEM和EDTEM与HRTEM相关; 3)在1050°C烧结的核壳压敏电阻样品的FESEM与EDX相关。参见http://www.rsc.org/suppdata/jm/b3/b306280e/
机译:重新开始制造用于铁电中子发生器电源的ZnO压敏电阻的化学制备工艺。