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具有电容式微传感器的晶片处理设备

摘要

实施方式包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶片制造处理的操作的装置与方法。在实施方式中,用于颗粒检测的颗粒监测装置包括安装在晶片基板上的数个电容式微传感器,以在所有压力状况下检测颗粒,例如在真空条件下。在实施方式中,一或更多个电容式微传感器被安装在晶片处理工具上,以在晶片制造处理期间实时测量材料沉积与移除速率。亦描述及请求保护其他实施方式。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20170613

    实质审查的生效

  • 2019-03-01

    公开

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