包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法及利用该方法制造的氮化物半导体基板

摘要

本发明涉及一种包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法及通过该方法制造的氮化物半导体基板，并公开一种氮化物半导体基板的制造方法及通过该方法制造的氮化物半导体基板，该方法中，形成含有受体提供物质的调节层并执行热处理工艺之后生长氮化物层，从而通过相互扩散(inter‑diffusion)效果，在施主掺杂浓度高的氮化物层内扩散受体提供物质，以形成电阻特性被调节的半绝缘(Semi‑insulating)氮化物半导体层。