一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法

摘要

本发明涉及一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，包括基体，和相互连接的真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极弧沉积系统及控制系统，基体通过高功率脉冲磁控溅射系统与真空阴极弧沉积系统结合制备成硒鼓；通过将高功率脉冲磁控溅射与真空阴极弧沉积系统相结合，改变等离子体区间的电势分布，提高等离子体密度，在一定程度上解决HIPIMS沉积速率低的问题，同时有效改善了膜基界面结合状况，膜层的致密性良好，制备的薄膜颜色根据薄膜成分可调，沉积速率有所提高，使用性能优良，能够改善界面性能，提高薄膜的摩擦学特性。