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用于TEM构效关联直接原位表征的芯片及其制作方法

摘要

本发明提供一种用于TEM构效关联直接原位表征的芯片及其制作方法,芯片包括主芯片及辅芯片,其中,主芯片包括:具有观测孔的悬臂梁、主芯片凹槽、主芯片窗口及气孔;辅芯片包括:辅芯片窗口;通过悬臂梁的谐振用以检测位于悬臂梁上的待测样品的质量变化;通过将主芯片及辅芯片相对设置,并分别固定于TEM样品杆上,以在主芯片、辅芯片及TEM样品杆之间形成闭合空间,并通过辅芯片窗口、观测孔及主芯片窗口观测位于悬臂梁上的待测样品的形貌变化。本发明可以在TEM内实现对同一待测样品的形貌变化观测及质量变化检测,以进行直接、原位、实时表征,可广泛应用于纳米材料在气固反应过程中的TEM原位表征。

著录项

  • 公开/公告号CN109682711A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910067922.7

  • 申请日2019-01-24

  • 分类号G01N5/00(20060101);G01N23/04(20180101);G01N1/28(20060101);H01J37/26(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人余明伟

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2024-02-19 09:00:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N5/00 申请日:20190124

    实质审查的生效

  • 2019-04-26

    公开

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