一种ZnOS/ZnO纳米晶及其制备方法、发光器件

摘要

本发明公开了ZnOS/ZnO纳米晶及其制备方法、发光器件。其中，ZnOS/ZnO纳米晶，包括ZnOS核以及包覆于上述ZnOS核表面的ZnO壳层。本发明通过对ZnO纳米晶进行一定程度的硫化，然后在ZnOS核外包括ZnO壳层，得到尺寸较大的ZnOS/ZnO纳米晶，其稳定性好，不易聚沉、熟化，此外由于ZnOS核中的S可以起到调节能带的作用，从而更易获得宽禁带的纳米晶。