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P-Si-ZnO Nanocrystal Heterojunction Light Emitting Device

机译:P-Si / n-ZnO纳米晶异质结发光器件

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摘要

ZnO has a high potential for use in light-emitting devices in the visible and UV spectral range. One of the main challenges in an electrically driven device is the low energy of the valence band and, consequently, the difficult injection of holes. Here, we present an approach combining naturally n-type ZnO nanocrystals with intentionally p-doped Si nanoparticles in a solution-processable nanoparticle heterojunction multilayer. The heterojunction device exhibits an efficiency, that is more than one order of magnitude enhanced compared with the ZnO reference device. White electroluminescence with color rendering indices up to 98 is obtained.
机译:ZnO具有在可见光和UV光谱范围内用于发光器件的高潜力。电动装置的主要挑战之一是价带的能量低,因此,空穴的注入困难。在这里,我们提出了一种在溶液可加工的纳米粒子异质结多层结构中将自然n型ZnO纳米晶体与有意p掺杂的Si纳米粒子相结合的方法。异质结器件具有效率,与ZnO参考器件相比,效率提高了一个数量级以上。获得具有高达98的显色指数的白色电致发光。

著录项

  • 来源
    《》 |2012年第3期|p.035001.1-035001.3|共3页
  • 作者单位

    Werkstoffe der Elektrotechnik and CeNIDE, Universitat Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Germany;

    Werkstoffe der Elektrotechnik and CeNIDE, Universitat Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Germany;

    Evonik Degussa GmbH, Creavis, 45764 Marl, Germany;

    Werkstoffe der Elektrotechnik and CeNIDE, Universitat Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Germany;

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  • 正文语种 eng
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