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一种晶体硅光伏电池组件黑片缺陷失效分析方法

摘要

本发明提供了一种晶体硅光伏电池组件黑片缺陷失效分析方法,包括:步骤1:进行I‑V测试;步骤二,采用电致发光(electroluminescent,EL)测试软件进行EL测试,对晶体硅光伏组件通1‑40mA电流,并采用600W像素的EL相机拍摄组件;步骤三,进行红外线(IR)测试,对晶体硅光伏电池组件通不同的电流,并记录其温度;步骤四,进行反向偏压致发光(ReBEL)测试,对晶体硅光伏电池组件施加一定的反向电压,采用600W像素的EL相机拍摄组件;步骤五,进行显微成像测试,分别进行500倍和3000倍显微成像测试;步骤六,进行能量色散X射线(EDX)测试;步骤七,根据步骤一到步骤六的检测结果对缺陷黑片进行分类;步骤八,对于步骤七确定的缺陷黑片分类分别进行成因确定。

著录项

  • 公开/公告号CN109150106A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810734803.8

  • 发明设计人 刘伟;

    申请日2018-07-06

  • 分类号H02S50/15(20140101);

  • 代理机构11583 北京华旭智信知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李丽

  • 地址 061001 河北省沧州市高新区河北工业大学科技园5号楼1123

  • 入库时间 2024-02-19 08:51:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02S50/15 申请日:20180706

    实质审查的生效

  • 2019-01-04

    公开

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