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碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制系统

摘要

本发明公开了一种碲镉汞材料富汞制备技术所需的高压保护性气体控制系统,其特征是:热处理系统内的气体压力由进气压力控制器,同时在系统的出气气路中在接入一个出气压力控制器,并跟着接入一个气体质量流量计,这样,当系统的气体压力小于设定值时,进气压力控制器自动给系统增压,直至平衡,而当系统加热或温度波动导致系统内压力超过设定值时,进气压力控制器自动关闭,气体将通过出气压力控制器和质量流量计排出,压力随之下降。该控制方法的优点是,既保持了半导体材料热处理所需要的气体流动性,同时又能保持了系统压力的稳定性和安全性,满足了碲镉汞材料富汞制备技术对保护性气体控制的技术要求。

著录项

  • 公开/公告号CN101481823B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;

    申请/专利号CN200810204569.4

  • 发明设计人 张传杰;杨建荣;魏彦锋;徐庆庆;

    申请日2008-12-15

  • 分类号

  • 代理机构上海新天专利代理有限公司;

  • 代理人郭英

  • 地址 200083 上海市玉田路500号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-08-01

    授权

    授权

  • 2009-09-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-15

    公开

    公开

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