一种提高MOS器件性能的结构设计

摘要

本发明提供了一种纳米工艺下提高有源器件性能的设计方法，该方法设计条形衬底（B）并将之位于NMOS器件漏端（D）一侧，与D端相隔的距离为所采用工艺的设计规则最小值。该方法设计条形衬底（B）并将之位于PMOS器件源端（S）一侧，与S端相隔的距离为所采用工艺的设计规则最小值。这种有源器件结构可以提高NMOS器件性能，也不会削弱PMOS器件性能,同时不会增加额外的面积。随着工艺节点的降低，STI应力对器件性能的影响越来越显著，此结构器件在更小的工艺节点上对提高器件性能有着很大的提高。