基于可编程纳米线为模板实现大面积石墨烯纳米带阵列的制备方法

摘要

可编程纳米线为模板实现大面积石墨烯纳米带阵列的制备方法，1)利用光刻、电子束直写或掩模板技术在硅/二氧化硅衬底上定义所需的平面图案，利用电感耦合等离子体ICP刻蚀或者反应离子体刻蚀RIE技术刻蚀有台阶的引导沟道；2)利用光刻、蒸发或者溅射工艺金属淀积工艺，制备金属催化层，作为纳米线的生长起点位置；在还原性气体等离子体使催化金属层转变成为分离的金属纳米颗粒；3)将温度降低到金属催化颗粒熔点以下，整个结构表面覆盖与所需生长纳米线相应的非晶半导体前驱体薄膜层；4)将温度提高到适当温度以上，以使得纳米金属颗粒重新融化，并开始在前端吸收非晶层前驱体，而在后端生长淀积出晶态的纳米线结构。