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公开/公告号CN109478545A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-15
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201780044319.6
发明设计人 云常晗;左丞杰;M·维勒兹;N·S·穆达卡特;古仕群;金钟海;D·贝蒂;
申请日2017-06-20
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 08:29:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/522 申请日:20170620
实质审查的生效
2019-03-15
公开
机译: 制造具有滤波模块的半导体裸片的方法,包括该滤波模块的半导体裸片,封装该半导体裸片的外壳以及电子系统
机译: 包括裸片的半导体裸片封装,该裸片堆叠在包含裸片的预成型基材上
机译: 背面电极裸片太阳能电池及其制造方式较长的空半导体衬底,在其上具有发射极场和交叉指裸片的基极区
机译:III-V晶片,裸片和多个裸片的超薄DVS-BCB粘合剂将其粘合到图案化的绝缘体上硅衬底
机译:试生产石英玻璃设备,并努力减少玻璃设备的损坏事故
机译:使用BCB键合的片上光学电路在Si衬底上的InP薄膜无源器件的特性
机译:使用裸半导体衬底的可见光和紫外光谱范围内的反射偏振片的性能
机译:片上半导体衬底噪声的宽带电磁建模方法。
机译:包括衬底筛选在内的2D半导体的介电函数模型
机译:使用高电阻率多晶硅衬底技术的片上天线和RF无源器件的晶圆级集成
机译:针对425 mHz和双频段(425和900 mHz)的优化(第二通道)砷化镓(Gaas)集成电路射频(RF)增强器设计的裸片测试结果