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有隔离层衬里的互连结构及半导体器件

摘要

一种半导体器件包括:第一导电结构,包括具有侧壁和底面的第一部分,其中,第一导电结构嵌入在第一介电层中;以及隔离层,包括第一部分和第二部分,其中,隔离层的第一部分加衬里于第一导电结构的第一部分的侧壁,并且隔离层的第二部分加衬里于第一导电结构的第一部分的至少部分底面。本发明的实施例还提供了有隔离层衬里的互连结构。

著录项

  • 公开/公告号CN109411358A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201810921906.5

  • 发明设计人 陈信良;叶俊彥;方郁歆;罗汉棠;

    申请日2018-08-14

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2024-02-19 08:29:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/48 申请日:20180814

    实质审查的生效

  • 2019-03-01

    公开

    公开

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