公开/公告号CN109411358A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201810921906.5
申请日2018-08-14
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2024-02-19 08:29:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/48 申请日:20180814
实质审查的生效
2019-03-01
公开
公开
机译: 通过减少衬里氮化物层的刻蚀速度来防止衬里氮化物层形成的半导体器件的沟槽隔离层的形成方法
机译: 具有具有互连结构的互连结构的半导体器件,该互连结构的互连密度随着远离单元半导体图案的移动而减小
机译: 在侧壁氧化物层上使用衬里层作为扩散阻挡层,在离子浓度分布中提高均质性的半导体器件中形成器件隔离层的方法