公开/公告号CN106531805B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-10
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201610683475.4
申请日2016-08-18
分类号H01L29/78(20060101);H01L23/538(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 10:54:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-10
授权
授权
2017-04-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20160818
实质审查的生效
2017-04-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20160818
实质审查的生效
2017-03-22
公开
公开
2017-03-22
公开
公开
机译: 形成纳米线的方法,形成叠层结构的纳米线以及使用其制造垂直半导体器件和互连结构的方法以及使用其的垂直半导体器件和互连结构
机译: 形成纳米线的方法,形成叠层结构的纳米线以及使用其制造垂直半导体器件和互连结构的方法以及包括其的垂直半导体器件和互连结构
机译: 利用由多孔低K介电材料制成的待蚀刻层和由氮掺杂碳氧化硅(SiOC(N))制成的第一硬掩模层的半导体器件互连结构和形成半导体器件互连结构的制造方法