单堆叠双极型ESD保护装置

摘要

提供了ESD保护装置结构和相关制造方法。示例性半导体保护装置包括：具有第一导电类型且由第一和第二区构成的基极阱区，所述第一基极阱区具有更高掺杂浓度，且所述第二基极阱区定位于所述第一基极阱区与具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型的集电极区之间；所述第一基极阱区内的具有所述第二导电类型的发射极区；所述第一基极阱区内的第一和第二浮置区，所述第一浮置区在所述发射极区与所述第二浮置区之间，具有所述第二导电类型，所述第二浮置区在所述第一浮置区与所述第二基极阱区之间，具有所述第一导电类型。所述第一基极阱区内的所述浮置区邻接并电连接。