一种碳化硅二极管的制备方法及碳化硅二极管

摘要

本发明公开了一种碳化硅二极管的制备方法及由该制备方法制成的碳化硅二极管，该碳化硅二极管包括一碳化硅衬底(11)、一碳化硅外延层(12)、一图形化的场板介质层(16b)、一图形化的肖特基接触电极(17b)和一欧姆接触电极层(18)；碳化硅外延层(12)设置于碳化硅衬底(11)的正面；在碳化硅外延层(12)内且沿着碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的离子注入区(15)；碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的场板介质层(16b)，且碳化硅外延层(12)的上表面未图形化的场板介质层(16b)覆盖的区域设置有图形化的肖特基接触电极(17b)；图形化的场板介质层(16b)的上表面的部分区域被图形化的肖特基接触电极(17b)覆盖，其余区域裸露；欧姆接触电极层(18)设置于碳化硅衬底(11)的背面。