DIODOS DE CARBONETO DE SILíCIO (SILICON CARBIDE): UMA ANáLISE COMPARATIVA COM DIODOS DE SILíCIO EM UMA APLICA??O DE ELETR?NICA DE POTêNCIA

摘要

O presente artigo possui como principal objetivo apresentar um estudo comparativo entre duas tecnologias de diodos semicondutores de potência. Todo o estudo é realizado em torno dos diodos convencionais de Silício e dos modernos diodos que empregam Carboneto de Silício ( Silicon Carbide ). Para o desenvolvimento do estudo foram selecionados dois diodos com características próximas entre as tecnologias estudadas. Os resultados práticos foram obtidos em um conversor estático elevador de tens?o do tipo Boost. Além da avalia??o da eficiência dos diodos estudados, também s?o apresentadas as características de recupera??o reversa destes em frequências elevadas. Por fim, o artigo apresenta de forma evidente o melhor desempenho da tecnologia de semicondutores de Silicon Carbide , assim como, avalia suas tendências e perspectivas futuras.