法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-19
实质审查的生效 IPC(主分类):G16C10/00 申请日:20181024
实质审查的生效
2019-01-18
公开
公开
机译: 一种通过自由区熔化坩埚发芽和培养一种稳定的位错硅单晶的方法
机译: 一种对NMOS EEPROM单元进行编程和擦除的方法,该方法可最大程度地减少位错和电压,并满足存储阵列和支持电路的要求
机译: 一种对NMOS EEPROM单元进行编程和擦除的方法,该方法可最大程度地减少位错和电压,并满足存储阵列和支持电路的要求