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机译:一种通过自由区熔化坩埚发芽和培养一种稳定的位错硅单晶的方法
公开/公告号DE1619994B2
专利类型
公开/公告日1976-07-15
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号DE1967S108715
发明设计人
申请日1967-03-09
分类号B01J17/10;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 02:11:58
机译: 通过熔化坩埚自由区的方法制造无位错的硅单晶的方法
机译: 通过无坩埚浮动区融化来生长无杆状,无硅,尤其是硅的无定形单晶的方法