首页> 外国专利> A method for germination and cultivation of a stabfoermigen, dislocation free single crystal of silicon by free zone melting crucible

A method for germination and cultivation of a stabfoermigen, dislocation free single crystal of silicon by free zone melting crucible

机译:一种通过自由区熔化坩埚发芽和培养一种稳定的位错硅单晶的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE1619994B2

    专利类型

  • 公开/公告日1976-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE1967S108715

  • 发明设计人

    申请日1967-03-09

  • 分类号B01J17/10;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 02:11:58

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号