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一种CVD单晶金刚石生长预处理的方法

摘要

本发明涉及金刚石衬底处理的技术领域,特别是涉及一种CVD单晶金刚石生长预处理的方法,其可以在开始生长前对衬底进行预处理,清除衬底表面的污染物,提高生长出的单晶金刚石的质量和纯度;包括以下步骤:(1)衬底选择;(2)超声波清洗;(3)第一次干燥处理;(3)化学清洗;(4)第二次干燥处理;(5)衬底转移;(6)调整腔体内的参数;(7)混合刻蚀;(8)氢气刻蚀。

著录项

  • 公开/公告号CN109537052A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安碳星半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201811427010.8

  • 发明设计人 刘宏明;李升;左浩;

    申请日2018-11-27

  • 分类号C30B29/04(20060101);C30B25/20(20060101);

  • 代理机构13130 石家庄领皓专利代理有限公司;

  • 代理人张玉婵;王春丽

  • 地址 710000 陕西省西安市国家民用航天产业基地东长安街888号LED产业园1号楼1层厂房南半部

  • 入库时间 2024-02-19 08:07:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/04 申请日:20181127

    实质审查的生效

  • 2019-03-29

    公开

    公开

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