公开/公告号CN109537052A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-29
原文格式PDF
申请/专利权人 西安碳星半导体科技有限公司;
申请/专利号CN201811427010.8
申请日2018-11-27
分类号C30B29/04(20060101);C30B25/20(20060101);
代理机构13130 石家庄领皓专利代理有限公司;
代理人张玉婵;王春丽
地址 710000 陕西省西安市国家民用航天产业基地东长安街888号LED产业园1号楼1层厂房南半部
入库时间 2024-02-19 08:07:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-23
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/04 申请日:20181127
实质审查的生效
2019-03-29
公开
公开
机译: 大面积CVD金刚石单晶的制造方法以及由此获得的大面积CVD金刚石单晶
机译: 基于高生长速率的单晶CVD金刚石的新金刚石用途/应用
机译: 大面积CVD金刚石单晶的生产工艺及该工艺获得的大面积CVD金刚石单晶的生产工艺