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基于P3HT纳米线的三端仿生突触电子器件

摘要

本发明提供了一种基于P3HT纳米线的三端仿生突触电子器件。通过设计类场效应管结构的P3HT纳米线神经突触仿生电子器件来实现神经信号在突触间传递的模拟。通过对所述P3HT纳米线突触电子器件进行电学表征,证明所述器件具有的突触短时程可塑性与部分突触功能,其在构建具有模式识别、逻辑推理、归纳总结、自主学习等功能的新型计算系统中具有重要的意义。

著录项

  • 公开/公告号CN109473548A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南开大学;

    申请/专利号CN201811219439.8

  • 发明设计人 徐文涛;陈一航;韩弘;

    申请日2018-10-19

  • 分类号H01L51/05(20060101);B82Y10/00(20110101);B82Y15/00(20110101);

  • 代理机构12223 天津耀达律师事务所;

  • 代理人张耀

  • 地址 300071 天津市南开区卫津路94号

  • 入库时间 2024-02-19 07:45:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20181019

    实质审查的生效

  • 2019-03-15

    公开

    公开

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