公开/公告号CN109487330A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-19
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡翌波晶体材料有限公司;
申请/专利号CN201910003186.9
发明设计人 杨建春;
申请日2019-01-03
分类号
代理机构苏州广正知识产权代理有限公司;
代理人李猛
地址 214000 江苏省无锡市锡山区芙蓉中三路99号
入库时间 2024-02-19 07:41:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/02 申请日:20190103
实质审查的生效
2019-03-19
公开
公开
机译: 从熔体中生长晶体,特别是用于生长可用于大型功率电子组件的大型碳化硅或氮化铝晶体的过程,包括从材料在基板上生长的晶体尖端横向生长
机译: 横向生长碳纳米管的方法,横向互连和使用该横向互连的场效应晶体管
机译: 制备III族氮化物晶体的方法,包括核细分步骤,金字塔生长步骤,横向生长步骤和扁平厚膜生长步骤