横向双锥快速生长35DKDP晶体的研究

摘要

在ICF工程中Ⅱ类三倍频晶体使用的是含氘量70%DKDP晶体,而70%DKDP晶体生长难度大,成本高,因此选用氘含量低,性能达到工程要求的DKDP晶体作为Ⅱ类三倍频晶体是很有必要的。采用横向双锥快速生长技术生长氘含量约35%DKDP晶体,按照Ⅱ类方向进行切割,测试三倍频激光损伤阈值和横向受激拉曼散射效应(TSRS),并与70%DKDP晶体进行对比。实验结果表明,所生长含氘量35%DKDP晶体比70%DKDP晶体损伤阈值约高1. 8倍,而在881. 7 cm^(-1),35%DKDP晶体的拉曼散射峰值强度比70%DKDP晶体高出约23%,70%DKDP晶体的TSRS比35%小。