基于β-Ga2O3单晶毫米级薄片的日盲紫外探测器

摘要

本发明提供一种基于β‑Ga2O3单晶毫米级薄片的日盲紫外探测器，由β‑Ga2O3单晶毫米级薄片和电极构成欧姆接触，光吸收层为单晶的β‑Ga2O3毫米带，所述电极为钛、金、银、铂中的一种或多种材料构成。本发明还提出所述基于β‑Ga2O3单晶毫米级薄片的日盲紫外探测器的制备方法及应用。本发明提出了一种基于β‑Ga2O3单晶毫米级薄片的日盲紫外探测器，该探测器具有欧姆接触及较高响应度的特点。本发明通过机械剥离的方法获得β‑Ga2O3薄片层，采用磁控溅射方法生长Ti/Au电极，以形成日盲紫外探测器，制得的器件具有高光暗比、响应速度快等优点。