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公开/公告号CN109300790A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 格芯公司;
申请/专利号CN201810679506.8
发明设计人 黄海苟;高金晟;盛海峰;刘金平;高明哈;臧辉;
申请日2018-06-27
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2024-02-19 07:24:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20180627
实质审查的生效
2019-02-01
公开
机译: 接触蚀刻停止层与牺牲多晶硅层
机译: 双极晶体管的生产包括制备具有层序列的基板,蚀刻层序列以暴露蚀刻停止层的一部分,形成发射极层以及形成发射极接触,集电极接触和基极接触。
机译: 通过具有中间蚀刻停止层的接触蚀刻停止层堆叠产生不同的机械应变的技术
机译:WSix / WN /多晶硅DRAM栅极堆叠,具有50 A WN层作为扩散阻挡层和蚀刻停止层
机译:接触蚀刻停止层A-si_xn_y:h层:单个多晶硅闪存数据保留的关键因素
机译:带有Si1-xGex沟道的纳米级nMOSFET上的接触蚀刻停止层的应力效应和多晶硅栅极的几何设计
机译:使用多孔硅牺牲层和轻掺杂块状硅蚀刻停止层的溶解晶片工艺
机译:从材料到设备:(I)具有可生物降解牺牲层的超薄柔性可植入生物探针(II)金刚石的自旋注入和运输
机译:使用牺牲多孔硅层的多晶硅磷扩散吸杂工艺
机译:完全拉伸的应变部分硅绝缘体n型 采用局域化的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 接触蚀刻停止层
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响