高压MOS功率器件终端特性仿真等效模型

摘要

本发明对于高压深Trench的MOS器件终端仿真，提出一种等效仿真模型（图1）。其特点是：由与原终端Trench等距等宽度的PN结组成，并且各部分参杂种类和浓度相同，可以大致模拟出原终端横向的崩溃电压。其好处在于：能较快找到符合要求终端的大致结构，等效结构简单，仿真程序简单，仿真速度快，节约时间成本。非90度角Trench器件的终端，某一深度的横向崩溃电压，亦可由此模型模拟，此时，等效模型中的PN结宽度由该深度下器件的Trench宽度与距离确定。