首页> 中国专利> 分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法

分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法

页面导航

摘要

本发明公开分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，包括以下步骤：连续施加脉冲电流I

1. 分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法 [P] . 中国专利： CN109375088A . 2019-02-22
2. 窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN111313229B . 2021.09.28
3. The process of stabilization of a semiconductor laser of a semiconductor laser stabilized distribuu00ecda feedback, feedback distribuu00ecda, and.The system of semiconductor laser feedback stabilized distribuu00ecda [P] . BR9815455A . 2001-10-23

机译：半导体激光器的稳定化过程包括：半导体激光器的稳定分布反馈，反馈分布，以及半导体激光器的反馈稳定分布系统。
4. Distributed feedback semiconductor laser, optical module and distributed feedback semiconductor laser array [P] . 日本专利： JPWO2005053124A1 . 2010-02-04

机译：分布式反馈半导体激光器，光学模块和分布式反馈半导体激光器阵列
5. DISTRIBUTED-FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER, DISTRIBUTED-FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, AND OPTICAL MODULE [P] . 日本专利： JP2009076942A . 2009-04-09

机译：分布式反馈半导体激光器，分布式反馈半导体激光器阵列和光学模块