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在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液

摘要

本文描述了一种蚀刻溶液,其包含水;氧化剂;水混溶性有机溶剂;氟离子源;和任选地表面活性剂。该组合物可用于在制造微电子器件的过程中从其上具有多晶硅和硅‑锗材料的微电子器件相对于多晶硅而选择性地去除硅‑锗。

著录项

  • 公开/公告号CN109423291A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 弗萨姆材料美国有限责任公司;

    申请/专利号CN201810982894.7

  • 发明设计人 刘文达;李翊嘉;A·J·亚当齐克;

    申请日2018-08-27

  • 分类号C09K13/08(20060101);H01L21/306(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人吴亦华;徐志明

  • 地址 美国亚利桑那州

  • 入库时间 2024-02-19 06:40:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K13/08 申请日:20180827

    实质审查的生效

  • 2019-03-05

    公开

    公开

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