公开/公告号CN109423291A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-05
原文格式PDF
申请/专利权人 弗萨姆材料美国有限责任公司;
申请/专利号CN201810982894.7
申请日2018-08-27
分类号C09K13/08(20060101);H01L21/306(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人吴亦华;徐志明
地址 美国亚利桑那州
入库时间 2024-02-19 06:40:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-29
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K13/08 申请日:20180827
实质审查的生效
2019-03-05
公开
公开
机译: 在半导体器件制造过程中从硅锗/硅叠层中选择性去除硅锗合金上的硅的蚀刻溶液
机译: 在半导体器件制造过程中从硅锗/硅叠层中选择性去除硅锗合金的蚀刻溶液
机译: 用于在半导体器件的制造过程中从硅锗/硅叠层中选择性去除硅锗合金的蚀刻溶液