利用BiCom3硅锗高速半导体工艺发展新一代高效能模拟器件

摘要

BiCom3是一种适合高速器件设计的先进高效能互补Bi-CMOS工艺．不仅提供很高的晶体管转换频率（transit frequency）．还具备绝佳的线性特性和精准度。BiCom3以现有的数字工艺器件库为基础，包含种类齐全的数字器件，并整合数字逻辑与双极电路结构以制造更复杂的功能。近来有许多以无线通讯、医疗影像以及高阶测试与量测为目标的创新器件出现，代表了此工艺在高速器件设计的潜力。本文将介绍工艺本身的特点、工艺与某些器件效能参数的关联以及工艺在实际器件的应用结果。