Energy Band Engineering and Luminescence Properties of Green-Yellow InGaN/GaN Quantum Wells

摘要

黄绿光LED通常要求生长高铟组分的InGaN有源层。由于InN和GaN之间存在较大的晶格失配，高铟组分InGaN材料通常存在晶体质量差，非辐射复合率高的缺点。此外，GaN和InGaN之间的大应力会产生强的内建电场，引起能带弯曲，电子和空穴波函数空间分离，大幅降低有效辐射复合率。 本文通过对GaN垒层的铟预处理和调控InGaN有源层的生长温度设计并外延了一种新型高铟InGaN/GaN量子阱结构，综合运用AFM、HR-TEM、HAADF-STEM、HR-XRD、XPS和PL等多种表征手段，结合APSYS仿真计算，从理论和实验两个方面研究了该新型高铟InGaN/GaN量子阱的晶体和界面质量、能带调...