Poly-Ge film with high quality fabricated by metal induced crystallization

摘要

Ge材料在光电子以及微电子领域有重要的应用。a-Ge晶化的方法可以将廉价的a-Ge转化为高质量的多晶Ge甚至单晶Ge，因而受到人们重视。然而传统a-Ge晶化的制备方法面临一些挑战，如晶化温度过高，形成的晶向不能高度单一化，形成的晶粒尺寸大小不能满足应用需求等，而金属诱导晶化的方法可以在低温下制得高质量的Ge薄膜，是人们近几十年中研究的一个热点。 本文采用金属诱导晶化的方法在石英衬底上制备出了高质量的多晶Ge薄膜，并围绕两个方面展开研究：一是a-Ge的有序度对a-Ge金属诱导晶化的影响，二是从便于进行大规模生产的角度简化了工艺条件，优化了金属诱导晶化制备高质量的多晶Ge薄膜的工艺参数。本论文主...